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SiC MOSFET 在开关状态下工作。然而,了解其在线性状态下的行为是有用的,这可能发生在驱动器发生故障的情况下,或者出于某些目的,当设计者编程时会发生这种情况。线性区电子元件的线性区(或有源区)是无法循环所有可用电流......
高端负载开关及其操作仍然是许多工程师和设计师的热门选择,适用于电池供电的便携式设备,例如功能丰富的手机、移动GPS设备和消费娱乐小工具。本文采用一种易于理解且非数学的方法来解释基于 MOSFET 的高侧负载开关的各个方面......
栅极控制栅极控制块或电平转换块控制 MOSFET 的 V G 以将其打开或关闭。门控的输出直接由它从输入逻辑块接收的输入 决定。在导通期间,栅极控制的主要任务是对 EN 进行电平转换,以产生高(N 沟道)或低(P 沟道)......
在本文中,我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正在将精力集中在这些类型的组件上,这些组件允许创建高效转换器和逆变器。建立仿真我们将在接下来的测试和模拟中使用一些新一代 SiC 和GaN FET ......
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)等宽带隙材料由于其电气特性已被证明优于硅,因此在电力电子应用中占据领先地位。尽管被广泛接受,但专家们仍在不断检查其真实性。特别是SiC MOSFET用于在高温和开关频率下工作的转换......
碳化硅 (SiC) 是一种日益重要的半导体材料,未来它肯定会取代硅用于大功率应用。为了更好地管理 SiC 器件,有必要创建一个足够的驱动程序,以保证其清晰的激活或停用。通常,要关闭它,“栅极”和“源极”之间需要大约 20......
这是基于一对FET元件在最终放大过程中构建的100W功率音频放大器电路图。 FET 元件使用一对 K134 和 J49,这些 FET 的替代品是 J162 和 K1058 的组合。 8欧姆扬声器的输出功率约为100W。对......
该 100W 音频放大器设计采用两个 V-MOSFET 晶体管技术作为输出级,可在 4 Ω 负载下提供 100W 输出。重要的是,通过添加散热器或风扇等方式使输出级的晶体管保持凉爽。对于这种高功率场效应晶体管放大器,使用......
以碳化硅(SiC) 技术为动力的下一代功率半导体将满足快速增长的纯电动汽车 (BEV) 市场和充电基础设施的需求,以及对新能效标准、更高工业和可再生能源领域的功率密度和更小的系统尺寸。 为了充分利......
下图所示电路是一款高速FET输入、增益为5的仪表放大器,具有35 MHz宽带宽和10 MHz时55 dB的出色交流共模抑制(CMR)性能。该电路适用于需要高输入阻抗、快速仪表放大器的应用,包括RF、视频、光学信号检测和高......