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参考设计

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在 DCDC 电源设计中选择带FEI的芯片还是不带的方案？

amy2025 2025-06-13

1、前言我是那种无法想象在电子阅读器上读书的人。新技术无法取代翻页和实际放入书签的感觉。尽管我知道电子阅读器可以容纳数千本书，它们非常便携，而且我可以购买更便宜的数字版本的书籍，但我不知道我会不会改变。对于多年来一直使用......

FET DCDC

电源设计说明：线性方案中的 SiC MOSFET

amy2025 2025-05-23

SiC MOSFET 在开关状态下工作。然而，了解其在线性状态下的行为是有用的，这可能发生在驱动器发生故障的情况下，或者出于某些目的，当设计者编程时会发生这种情况。线性区电子元件的线性区(或有源区)是无法循环所有可用电流......

SiC 电源设计

高端 FET 负载开关入门第 1 部分

amy2025 2025-05-20

高端负载开关及其操作仍然是许多工程师和设计师的热门选择，适用于电池供电的便携式设备，例如功能丰富的手机、移动GPS设备和消费娱乐小工具。本文采用一种易于理解且非数学的方法来解释基于 MOSFET 的高侧负载开关的各个方面......

负载开关 FET

高端 FET 负载开关入门第 2 部分

amy2025 2025-05-20

栅极控制栅极控制块或电平转换块控制 MOSFET 的 V G 以将其打开或关闭。门控的输出直接由它从输入逻辑块接收的输入 决定。在导通期间，栅极控制的主要任务是对 EN 进行电平转换，以产生高(N 沟道)或低(P 沟道)......

负载开关 FET

电源设计说明：面向高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

amy2025 2025-05-20

在本文中，我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正在将精力集中在这些类型的组件上，这些组件允许创建高效转换器和逆变器。建立仿真我们将在接下来的测试和模拟中使用一些新一代 SiC 和GaN FET ......

氮化镓 SiC 功率MOSFET

动态测试证实了 SiC 开关频率的准确性

amy2025 2025-05-20

碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)等宽带隙材料由于其电气特性已被证明优于硅，因此在电力电子应用中占据领先地位。尽管被广泛接受，但专家们仍在不断检查其真实性。特别是SiC MOSFET用于在高温和开关频率下工作的转换......

氮化镓(GaN) 碳化硅(SiC)

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驱动器的重要性

amy2025 2025-05-16

碳化硅 (SiC) 是一种日益重要的半导体材料，未来它肯定会取代硅用于大功率应用。为了更好地管理 SiC 器件，有必要创建一个足够的驱动程序，以保证其清晰的激活或停用。通常，要关闭它，“栅极”和“源极”之间需要大约 20......

SiCMOSFET 碳化硅(SiC)

基于FET的100W功率音频放大器电路图

fanxiaoxi 2024-10-25

这是基于一对FET元件在最终放大过程中构建的100W功率音频放大器电路图。 FET 元件使用一对 K134 和 J49，这些 FET 的替代品是 J162 和 K1058 的组合。 8欧姆扬声器的输出功率约为100W。对......

FET PCB设计 扬声器 电路图 音频放大器

基于FET的100W音频放大器电路图

fanxiaoxi 2024-10-25

该 100W 音频放大器设计采用两个 V-MOSFET 晶体管技术作为输出级，可在 4 Ω 负载下提供 100W 输出。重要的是，通过添加散热器或风扇等方式使输出级的晶体管保持凉爽。对于这种高功率场效应晶体管放大器，使用......

FET MOSFET 晶体管 电路图 音频放大器

用于 SiC 解决方案设计的模块化评估平台

fanxiaoxi 2023-08-08

 以碳化硅(SiC) 技术为动力的下一代功率半导体将满足快速增长的纯电动汽车 (BEV) 市场和充电基础设施的需求，以及对新能效标准、更高工业和可再生能源领域的功率密度和更小的系统尺寸。  为了充分利......

SiC 半导体
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